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Dépôts de couches minces
- 30 mai 2012 -
Dépôts par évaporation - Plassys MEB 550S
Évaporation de métaux par canon à électrons 10kV : Ti, Au, Al, Ag, Pd, Pd/Ni, Ni et Ge.
Canon à ions Argon pour décaper la surface ou assister les dépôts.
Possibilité d’oxydation in situ statique (pression fixe) ou dynamique (Flux constant) pour des épaisseurs de 2 à 3 nm.
Possibilité de chauffer le porte substrat jusqu’à 300°C ou de le refroidir à l’azote liquide.
Taille d’échantillon maximale : 10 cm de diamètre (4 pouces)
Dépôts PECVD [1] - Corial D250
Dépôts de couches diélectriques : Oxyde et Nitrure de Silicium.
Vitesse de dépôts jusqu’à 100nm/min.
Gaz disponibles : SiH4, NH3, N2O, Ar, SF6
Générateur RF de 300W à 13.56MHz
Température de dépôt : 150°C ou 280°C
Pour wafer jusqu’à 20cm (8 pouces)
Dépôt d’Or électrolytique
Dépôt électrolytique jusqu’à 10µm d’épaisseur.
Taille d’échantillon : max 2 pouces
[1] (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)
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